Influencia de los parámetros de depósito de películas delgadas semiconductoras de óxido de cobre por SILAR
Palabras clave:
películas delgadas, óxidos metálicos, material semiconductor, adsorción, reacción de capas iónicas sucesivasResumen
En la actualidad ha aumentado el estudio de películas delgadas de óxidos metálicos debido a una gama de aplicaciones como sensores, detectores ópticos y fotovoltaicos. Los métodos de solución para el depósito de películas delgadas se caracterizan por configuraciones simples y económicas a baja temperatura. El óxido de cobre (CuO) es un material semiconductor tipo p con un espaciamiento de banda prohibida de 1.2-2.1 eV, alta estabilidad química y buena conductividad eléctrica. El objetivo es estudiar los efectos de los parámetros de depósito de películas delgadas de CuO por el método SILAR como material semiconductor para uso potencial en dispositivos de microelectrónica. Las películas delgadas de CuO se depositaron en sustratos de vidrio por el método químico de Adsorción y Reacción de Capas Iónicas Sucesivas (SILAR). Se obtuvieron por dos rutas diferentes, en ambas rutas se realizaron cien ciclos SILAR, para la ruta de tres pasos se utilizó una solución catiónica de cloruro de cobre complejado con hidróxido de amonio hasta un pH de 10, solución aniónica de agua desionizada a 90°C y enjuague en agua desionizada, y la ruta de cuatro pasos utilizó una solución precursora de cloruro de cobre 0.1M complejado con hidróxido de amonio, solución aniónica de agua desionizada a 90°C, un secado en aire y un enjuague en agua desionizada. Finalmente, las películas delgadas se sinterizaron a 300°C por tres horas. La caracterización de las películas delgadas confirmó una estructura monoclínica y tamaños de cristalita de 18 nm por difracción de rayos X, reducida transmitancia óptica y ancho de banda prohibida de
1.57 eV por espectroscopia ultravioleta-visible, densificación de la película sobre la superficie del sustrato por microscopía electrónica de barrido, análisis de las resistencias eléctricas de hoja por medición de dos puntas en corriente voltaje.
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