[1]
A. L. Tobías López, V. H. Martínez Landeros, L. A. García Cerda, y S. García Villarreal, «Influencia de los parámetros de depósito de películas delgadas semiconductoras de óxido de cobre por SILAR», CC, vol. 19, n.º 75, pp. 146–161, nov. 2025, Accedido: jul. 12, 2026. Disponible en: https://revistas.uadec.mx/CienciaCierta/article/view/548